為了讓大家在工作中的溝通加順利,在此為一些晶振的采購商和晶振行業(yè)的新同事做一些簡單的知識分享:
1、標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。
2、工作頻率:晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。也是我們通常所說的PPM值,比如10PPM。
4、溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時工作頻率的允許偏差。
5、老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。
6、靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。
7、負(fù)載電容:與壓電石英晶振一起決定負(fù)載諧振頻率fL的外界電容,通常用CL表示。
負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時,負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在并聯(lián)負(fù)載電容時,則是兩個頻率中較高的一個。
9、動態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL=R1(1+C0/CL)2
激勵電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
11、基頻:在振動模式低階次的振動頻率。
12、泛音:晶體振動的機(jī)械諧波.泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,
這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。